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硅的电阻率温度系数~电阻率关系曲线几种拟合方法的比较2010年08月18
   栏目: 技术与应用
  文章内容

作者:孙以材  宫云梅  王静  程东升 张效玮

单位:河北工业大学  邮编:300130

中图分类号:O241        

文献标识码:A         

文章编号:1006-883X(2006)03-0012-06

 

摘要:本文以硅单晶的电阻率温度系数~电阻率非线性曲线为应用对象,用直线最小二乘法、牛顿插值法、规范化多项式、MATLAB 3次、4次及5次曲线分别进行拟合近似逼近,并得到各自的多项式,用到表和图线以作对比。结论是牛顿插值法、规范化多项式法、MATLAB 5次曲线最为逼近。

关键词:电阻率温度系数;最小二乘法;牛顿插值法;规范化多项式法;MATLAB

 

Comparison Among Several Methods Of Matching The Relation Curve Of Temperature Coefficient Of ResistivityResistivity For Silicon

Abstract: Matching the relation curve of temperature coefficient of resistivityresistivity for silicon, as an objective example, were carried out respectively using the least square criterion, Newtons value-insert, normalized polynomial and MATLAB three, four, five order curves. Comparison among their results are presented with tables and figures. It is confirmed that Newtons value-insert, normalized polynomial and MATLAB five order curve are the best in approximation.

Keywords: the least square criterion; newtons value-insert; normalized polynomial MATLAB software

 

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备注:2006  12  3

 

 
文章编号:提交者:niew点击次数:【257
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