注：国家自然科学基金资助项目（69974001）；国家科技部攀登计划资助项目（国科基字[1999]045）；安徽省自然科学基金资助项目（99043522）

作者：操文祥  葛立峰

单位：安徽大学电子科学与技术学院  （230039）

中图分类号  TP212.1      

文献标识码：A      

文章编号：1006-883X(2006)03-0006-04

摘要：分析V形槽静电超声传感器微气隙结构研究静电场不均匀性，用解拉普拉斯方程的方法解的单个V形槽面电荷密度。通过建立π/4角两平板电容器模型，提出V形槽静电传感器电容值的定量计算方法，得到与试验相接近的结果。

关键词：静电超声传感器；V形槽面电荷密度；静电容

Research On Electrostatic Field Asymmetry Of Ultrasonic Transducers With V-Grooved Backplates

Abstract: In this paper,by analyzing micro air-gap structure for electrostatic ultrasonic transducers with V-grooved backplates, a research on electrostatic field asymmetry of ultrasonic transducers is indicated. A single V-grooved surface charge density is solved by solving Laplaces equation. By modelling a π/4 angle for an electrostatic ultrasonic transducer with a grooved backplate, a method is proposed. And calculating its capacitance, the outcome is very close to the experimentation result.

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备注：2006年  第12卷  第3期